RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2393
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link