RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
55
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
55
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2078
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link