RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2306
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link