RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
53
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
53
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2356
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link