RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2390
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link