RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
71
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1902
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link