RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2641
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link