RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
27
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3126
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link