RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
3663
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link