RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
3628
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link