RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2971
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link