RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2676
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link