RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2561
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link