RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
3406
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link