RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2583
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link