RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
39
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2136
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link