RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2142
3111
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link