RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2142
3551
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Inmos + 256MB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link