RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2601
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link