RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1921
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link