RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1921
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link