RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2221
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link