RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2802
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R7416G2400U2S 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link