RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3832
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link