RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3819
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link