RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3547
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link