RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2713
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link