RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3007
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link