RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2591
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link