RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2589
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link