RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2841
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link