RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2841
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link