RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2806
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link