RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2615
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905428-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link