RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
95
Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
95
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1518
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link