RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3238
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL7-7-7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link