RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2987
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link