RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2999
2389
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link