RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1896
2829
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link