RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
3516
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link