RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Porównaj
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2947
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link