RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2264
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link