RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Porównaj
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
44
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2302
2483
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link