RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Porównaj
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2302
2103
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link