RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
56
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
56
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2302
2455
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link