RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1831
2925
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link