RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
31
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
31
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
3300
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link