RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
19.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
26
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
3723
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link