RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
25
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
2542
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link