RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
38
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
38
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
2055
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link