RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2890
3170
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link