RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
52
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2426
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link